[判断题]半导体型热敏电阻有正温度系数、负温度系数、零温度系数三种类型。()
[判断题]自动平衡电桥的结构为惠斯通电桥。()
[判断题]NTC热敏电阻的阻值与温度的关系近似符合指数规律。()
[填空题]使用NTC电阻时,尽量减小通过热敏电阻的电流,以降低热敏电阻(____)效应的影响。
[单选题]对Pt100热电阻,Pt表示金属类型,100表示电阻阻值的所在温度为() A0℃ B15℃ C室温 D绝对零度
[判断题]℃是国际单位制中七个基本单位之一。()
[判断题]通常的测温方法和仪器包括:热电阻、热电式、非接触等。()
[判断题]热力学温度是国际单位制中七个基本物理量之一。()
[填空题]温度是表示物体____程度的物理量。
[单选题]下列不是温度标准的是() A摄氏温标 B布朗温标 C华氏温标 D热力学温标
[判断题]设计压阻式压力传感器时,敏感膜片的厚度应为工艺可实现的最小值。()
[判断题]应用压阻式传感器时应充分考虑其温度补偿问题。()
[判断题]压阻式传感器与应变式传感器的变换原理相似,都是将外力引起的机械变形转换为电阻的变化量。()
[填空题]减小敏感膜片的厚度,可以提高压阻式压力传感器的____。
[填空题]单位应力引起的电阻率的相对变化量称为____。
[填空题]硅压阻材料是各向____的。
[单选题]对于图示压阻式加速度传感器,下列说法正确的是() A该传感器的测量原理可描述为加速度→应变→电阻→输出 B梁上下表面的压敏电阻构成差动电桥,且上下表面阻值变化趋势相反 C若4个压敏电阻完全相
[单选题]关于图示单晶硅立方晶格,下列说法正确的是() A面ABCD的晶面表述为(100),晶向表述为<011> B面ABKL的晶面表述为(201),晶向表述为<201&
[单选题]压阻式传感器使用的功能材料为() A金属 B石英 C半导体硅 D压电陶瓷
[判断题]压阻式传感器的优化设计包括弹性敏感结构和压电电阻的优化设计。()
[判断题]可以利用桥臂电阻在弹性结构上的位置产生相反的阻值变化。()
[判断题]相同激励电流下,输出差分电压与桥臂电阻阻值成正比。()
[填空题]一个压阻式压力传感器产品,其最高工作温度为300____。（填写字母形式的物理量单位）
[单选题]决定方阻阻值的因素不包括() A长宽比 B掺杂浓度 C方阻边长 D掺杂类型
[判断题]压阻式加速度传感器的压电电阻必须放置在梁的两侧才能实现差动测量。()