问题：

[多选题]下面工艺参数变化会使得NMOS硅栅晶体管的阈值电压升高的有Vf6答案窝(daanwo.com)-大学作业答案分享平台
A多晶硅和衬底半导体材料之间的功函数差的绝对值增大Vf6答案窝(daanwo.com)-大学作业答案分享平台
B栅极氧化层厚度变薄（单位面积的栅氧化层电容增大）Vf6答案窝(daanwo.com)-大学作业答案分享平台
C氧化层中的表面电荷（正电荷）减少Vf6答案窝(daanwo.com)-大学作业答案分享平台
D在沟道区人工注入p型杂质离子使得单位面积的电荷密度升高