问题：
[填空题]短沟MOSFET速度饱和区工作时漏源电流与(VGS-VT)的__________次方成正比；长沟器件饱和区工作时漏源电流与(VGS-VT)的__________次方成正比。（填阿拉伯数字）
答案解析：
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