问题：
[填空题]已知一个MOS管的单位面积栅氧化层电容等于6 fF/μm^2, 它的沟道宽度为2 μm, 有效沟道长度为0.25μm，当它的源漏端和栅极都接地的时候，它的栅极的MOS电容（不考虑交叠）等于__________fF；当把栅极电压提高到阈值电压以上，栅极的对地电容（不考虑交叠）等于__________fF；当把漏极电压提高（VGS维持>VT），随着VDS增加，栅极的对地电容会______（增大/减小）。（所有小数保留小数点后两位）
答案解析：
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