学堂在线清华大学模拟电子技术基础(基础部分)(2020秋)课后作业题答案
- 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般____;普通小功率锗二 2020-10-10
- 在如图所示的电路中,在下面空格中选择:A.增大、B.不变、C.减小。当V增大时,则I 2020-10-10
- 理想二极管模型在直流电路分析中误差很大,因此不能使用。 2020-10-10
- 若在直流电路中硅二极管导通,则其导通电压均可认为0.7V。 2020-10-10
- 设二极管导通电压UD=0.7V,图中所示电路的输出电压值分别为 UO1=____,UO2=____,U 2020-10-10
- 二极管交流等效电路参数与其静态参数无关。 2020-10-10
- 二极管存在最高工作频率是因为PN结有电容效应。 2020-10-10
- 电路如图所示,ui=0.1sinωt(V),当直流电源电压V增大时,二极管UD的动态电阻rd将 2020-10-10
- 由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同,所以使用时不能互换。 2020-10-10
- 晶体三极管的基区比较薄并且多子浓度很低。 2020-10-10
- NPN和PNP型晶体管的区别取决于____。 2020-10-10
- 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 2020-10-10
- 晶体管在工作时有多子和少子两种载流子参与导电。 2020-10-10
- 在选用晶体管时,一般希望ICEO尽量大。 2020-10-10
- 理想晶体管工作在放大状态时,集电极电流是基极电流的β倍。 2020-10-10
- 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为________________ 。 2020-10-10
- 当晶体管工作在放大区时,IE由____运动形成,IB由____运动形成,IC由____运动形成 2020-10-10
- 对于小功率晶体管,UCE大于1V时的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输 2020-10-10
- 输出特性曲线描述基极电流为一常数时,集电极电流与管压降之间的函数关系。 2020-10-10
- 从输出特性可以看出,晶体管的β处处相等。 2020-10-10
- 工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它 2020-10-10
- 在PN结中,P区的电势比N区高( ); 2020-10-10
- 在PN结形成过程中,空穴的扩散运动方向是从P区到N区( ), 2020-10-10
- 漂移运动方向是从N区到P区( ); 2020-10-10
- PN结形成后,参与扩散运动的载流子数量大于参与漂移运动的载流子数量( )。 2020-10-10