学堂在线清华大学核辐射物理及探测学(2021春)课后作业题答案
- 单晶闪烁谱仪的哪个性能参数描述了单位能量输出幅度与入射粒子能量的关系? A 2021-03-16
- 下列哪种因素对单晶闪烁谱仪的γ射线探测效率没有影响? A闪烁体的组成元素 B 2021-03-16
- 某闪烁探测器的闪烁体发光衰减时间常数为0.68 μs,输出回路的时间常数为10 2021-03-16
- 单晶闪烁谱仪中闪烁体的尺寸变大时,其峰总比和峰源效率将如何变化? A峰总比变 2021-03-16
- 处于电流脉冲型工作状态的闪烁探测器,其输出脉冲幅度与下列哪个参数无关? A阳 2021-03-16
- 闪烁探测器的特点不包括下面哪项 A探测效率高 B时间特性好 C用途广泛,闪烁体 2021-03-16
- 下列哪项不是闪烁探测器必备的构成部分 A光电倍增器件 B组分恒定的气体环境 2021-03-16
- 与气体探测器相比,下列哪一项不是半导体探测器的优点? A能量分辨率好 B对γ射 2021-03-16
- 掺杂下列哪种元素的杂质半导体是属于间隙型的? ALi BB CP DAl 2021-03-16
- P型半导体中的多数载流子是? A电子 B空穴 C正离子 D负离子 2021-03-16
- 下列哪两种性质是组成半导体探测器的关键? A高的电阻率,和短的载流子寿命 B高 2021-03-16
- 关于半导体作为探测器介质的物理性能,下列说法错误的是? A平均电离能比闪烁体 2021-03-16
- 关于PN结,下列说法错误的是? A耗尽层内的电阻率远高于本征电阻率 B无外加电场 2021-03-16
- 关于PN结半导体探测器,下列说法正确的是? A结区的电场为均匀电场 B耗尽区的宽 2021-03-16
- PN结半导体探测器通常采用哪种前置放大器? A电流型前置放大器 B电压型前置放 2021-03-16
- 某PN结型半导体探测器及电子学系统的零电容噪声为0.5keV,噪声斜率为0.1keV/p 2021-03-16
- 某PN结型半导体探测器的法诺因子为0.16,平均电离能为3.6 eV,则测量3.6 MeV的 2021-03-16
- 关于锂的漂移特性及P-I-N结形成,下列说法错误的是 ALi为施主杂质 B锂离子是 2021-03-16
- 关于锂漂移探测器的工作原理,下列说法正确的是 AI区存在空间电荷 BI区为耗尽 2021-03-16
- 下列对锂漂移探测器的工作条件和原理描述不正确的是 A锂漂移探测器不可以用 2021-03-16
- 对于高纯锗探测器的描述,下列说法错误的是 A高纯锗探测器是由Ge单晶制成 B杂 2021-03-16
- 关于高纯锗探测器的特点表述正确的是 A它需要在低温下工作 B它需要在低温下 2021-03-16
- 关于锂漂移探测器和高纯锗探测器的结构,下列说法正确的是 A平面型体积较大 B 2021-03-16
- 关于锂漂移探测器和高纯锗探测器的输出信号,下列说法正确的是 A平面型探测器 2021-03-16
- 关于锂漂移探测器和高纯锗探测器的能量分辨率,下列说法错误的是 A不同原因造 2021-03-16