学堂在线湖北大学光电材料与器件(2021秋)作业题答案
- 加正向偏压的PN结,通过电注入的方式注入非平衡载流子,体系处于非平衡的状态 2021-12-24
- PN结耗尽层的宽度在正向偏压的情况下会变窄,在反向偏压的条件下增宽。( ) 2021-12-24
- 理想PN结IV特性的讨论是建立在以下基本假设上() A外加电压全部降落在耗尽区 2021-12-24
- 当PN结加正向偏压时,在结边缘np>np0,pn>pn0,这种现象为()。 A少子注入 B少 2021-12-24
- PN结加反向偏压时,外加电场的方向和内建电场方向()。 A相同 B相反 2021-12-24
- PN结加正向偏压是指()。 A在PN结的N侧加上相对P侧为正的电压V B在PN结的P侧 2021-12-24
- PN结空间电荷区的宽度与接触电势差高度的1/2次方成正比,与半导体掺杂浓度的 2021-12-24
- PN结的电导率σ = qnμn + qpμp 与载流子浓度和迁移率有关,在电中性区电导 2021-12-24
- 对于单边突变PN结,在重掺杂一侧的空间电荷区宽度是可忽略的,空间电荷区主要 2021-12-24
- 热平衡PN结具有统一的费米能级。( ) 2021-12-24
- 在PN结的空间电荷区,与电离杂质浓度相比,自由载流子浓度可以忽略。( ) 2021-12-24
- PN结空间电荷区由N型区到P型区电势能是逐渐上升的,能带逐渐向上弯曲,且成抛 2021-12-24
- 当N型半导体和P型半导体相接触时形成一个整体,那么这个体系的费米能级在热 2021-12-24
- PN结本身也是一种器件:整流器。( ) 2021-12-24
- 所有半导体结型器件都由PN结构成。( ) 2021-12-24
- 形成PN结的方法一般有() A合金法 B扩散法 C离子注入法 2021-12-24
- PN结自建电场的方向为()。 A由N型区指向P型区 B由P型区指向N型区 C由正极指 2021-12-24
- 当N型半导体和P型半导体接触时,由于存在载流子的浓度梯度,载流子会发生()运 2021-12-24
- 间接复合过程中区别直接复合的是,电子-空穴对通过复合中心能级的参与发生复 2021-12-23
- 表面复合也是一种间接复合。( ) 2021-12-23
- 半导体材料的深能级通常是有效的复合中心。( ) 2021-12-23
- 影响非平衡载流子寿命的因素包括() A费米能级位置 B非平衡载流子浓度 C复合 2021-12-23
- 非平衡载流子的复合机制,按复合过程发生的位置分类,分为() A直接复合 2021-12-23
- 半导体体系的准平衡状态,可以理解为电子子系统与晶格系统在能量分布上是平 2021-12-23
- 非平衡载流子注入后,经过晶格驰豫,半导体体系达到准平衡分布,即数量不平衡, 2021-12-23