学堂在线湖北大学光电材料与器件(2021秋)作业题答案
- n-GaAs/p-AlGaAs形成的PN结被称为()。 A同质PN结 B异质PN结 C同型异质结 2021-12-24
- n-Si/p-Si形成的PN结被称为()。 A同质PN结 B异质PN结 C同型异质结 2021-12-24
- 金属和重掺杂半导体接触时,不论金属和半导体功函数的大小,这种金半接触均为 2021-12-24
- 实际情况下的金半接触由于镜像力和隧道效应的影响,使其反向偏压的电流增大, 2021-12-24
- 肖特基二极管和PN结二极管主要的区别包括() A肖特基二极管是多子器件,而PN 2021-12-24
- 另一种输运理论是热电子发射理论,主要适用于势垒宽度()电子平均自由程的情 2021-12-24
- 金半接触的电子输运情况比较复杂,主要是基于扩散模型和热电子发射模型来分 2021-12-24
- 金半接触可看成单边突变PN结的情况,可以通过电容倒数的平方与电压的对应关 2021-12-24
- 由于费米能级于钉扎效应的存在,金属即使与半导体接触,也没有直接交换电子, 2021-12-24
- 分析表明,表面态能级水平分布在半导体价带之上三分之一Eg处。( ) 2021-12-24
- 由于半导体表面周期性的破坏,通常会形成表面态,这些表面态的能级主要分布在 2021-12-24
- 表面态对金半接触势垒的影响有() A半导体内能带弯曲的程度对金属功函数不敏 2021-12-24
- 金属和P型半导体接触时,当金属功函数小于半导体功函数,理想情况下会形成() 2021-12-24
- 真空能级与费米能级之间的能量差是指()。 A功函数 B电子亲和势 2021-12-24
- 真空能级与半导体导带底之间的能量差是指()。 A功函数 B电子亲和势 2021-12-24
- 单边突变PN结可用于确定掺杂浓度和自建电势。( ) 2021-12-24
- 对于突变PN结,电容倒数的平方是外加反偏电压的线性函数。( ) 2021-12-24
- PN结势垒电容与轻掺杂浓度有关,浓度越大,电容越大;而反向偏压越大,势垒电容 2021-12-24
- PN结的击穿机制有() A雪崩击穿 B齐纳击穿 2021-12-24
- PN结产生隧道电流,主要需要满足的条件() A费米能级位于导带或价带的内部 B 2021-12-24
- 隧道二极管是利用()的隧道效应工作的 A多子 B少子 2021-12-24
- 隧道二极管的电流包括隧道电流和()。 A扩散电流 B漂移电流 2021-12-24
- 对于线性缓变结,势垒电容倒数的(),与外加反向偏压成线性变化关系。 A平方 B 2021-12-24
- 当PN结外加偏压时,势垒高度被外加电压改变,在非平衡态时电子和空穴分别各自 2021-12-24
- PN结加正向偏压时,空间电荷区内建电势差减小。( ) 2021-12-24