学堂在线清华大学微纳加工技术(2021春)章节作业题答案
- 溅射钛时,会在硅裸露的地方、spacer层和STI的绝缘层上均会有钛硅化合物生成 2021-03-08
- 氢氟酸或者是盐酸可以用来去除没有生成硅化物的钛,而形成的硅化物就会留在我 2021-03-08
- 制作spacer层时,是把栅表面和哪里的氮化硅刻掉____,而保留哪里的氮化硅 ____ 2021-03-08
- 为了保持栅控能力,抑制短沟道效应,必须增大单位面积的栅电容Cox 2021-03-08
- 当栅介质很薄时,会出现以下哪些问题 A在介电常数不变的前提下,单位面积电容会 2021-03-08
- 金属栅的引入是为了解决掺杂多晶硅中的什么问题? A成本高 B界面耗尽 C工艺复 2021-03-08
- 若NMOS管和PMOS管都用相同的金属栅,则Vth可以做的很小 2021-03-08
- 为了克服High-K介质与硅的界面态问题,在硅和High-K介质之间插入什么作为过渡 2021-03-08
- 在大的互连系统下,铝/二氧化硅互连的RC延迟比较大 2021-03-08
- 为了降低互连延迟,可用电阻率低的金属(比如Cu)和High-k介质作为互连层间介质 2021-03-08
- 在大马士革工艺中,为了抑制铜的扩散,在淀积铜之前要加一层阻挡层,往往是用钽做 2021-03-08
- 帕雷托曲线是用于通过关注最有效的策略和因素来提高产量的一种工具 2021-03-08
- 良率是一个固定的数量,具有一个统一的标准,越高越好 2021-03-08
- 如何提高良率? A要进行可制造性的设计 B工艺窗口要比较宽 C要运用关键尺寸在 2021-03-08
- 封装的作用有哪些? A安装、固定、密封芯片 B保护芯片 C增强电热性能 D通过管 2021-03-08
- 下列选项中正确的封装顺序是 A芯片减薄、芯片的键合、硅圆片的切片、互连或 2021-03-08
- 在引线键合中,将金丝加热形成的末端小球裸片上衬底键合,之后将金线与pad进行 2021-03-08
- 焊球倒装技术能够提供裸片大量IO口封装的解决方案 2021-03-08
- 双列直插式的引线框架制造在管脚很多,速度要求不高的封装中较为常用 2021-03-08
- MCP多芯片封装技术的核心技术是芯片减薄和压焊引线路径的精确控制 2021-03-08
- 什么技术是把互连的芯片叠在一起,在需要芯片间互连的地方打穿硅衬底来实现芯 2021-03-08
- 在BGA中,采用什么技术可以高效实现焊球的分布(请用汉语作答) ____ 2021-03-08
- 典型的CMOS工艺集成电路制造流程中,frond-end-process用来制造器件之间的互 2021-03-08
- 前续工艺的掺杂要尽可能采用扩散系数小的掺杂元素,那么在后续热处理中掺杂分 2021-03-08
- 制作spacer层时,利用RIE刻蚀的什么性质可以保证将栅的表面和源漏表面的氮化 2021-03-08