学堂在线清华大学微纳加工技术(2021春)章节作业题答案
- 下面哪种微纳加工技术主要用于定义图形? A光刻 B刻蚀 C掺杂 D介质膜沉积 2021-03-08
- 微电子加工技术主要有光刻、 ____、 掺杂 、 热处理 、 介质膜沉积 、 C 2021-03-08
- 多晶硅主要用于MOS管的哪个结构? A栅极 B栅介质 C源极 D漏极 2021-03-08
- 微纳加工技术中通过以下步骤将光刻版的图形转移到晶圆上:薄膜淀积(加材料)- _ 2021-03-08
- 单晶硅的生长主要有____、区熔法和外延法这三种方法 2021-03-08
- 微纳加工技术中主要使用的薄膜制备技术有热氧化、 ALD技术、CVD技术、 外延 2021-03-08
- 微纳加工技术中主要使用介质膜、____和单晶的半导体薄膜这几种薄膜 2021-03-08
- 如果要求淀积非金属薄膜的台阶覆盖性(保角特性)好,应该使用下列哪种工艺? AAPCV 2021-03-08
- 主要由反应控制决定薄膜生长有利于台阶覆盖 A正确 B错误 2021-03-08
- 低温下,淀积速率主要有化学反应速率决定;高温下,淀积速率主要由____速率决定 2021-03-08
- ALD主要用于制备较厚的栅介质 A正确 B错误 2021-03-08
- 初始氧化层足够薄、氧化时间短时,氧化过程主要处于线性氧化区,氧化速率受____ 2021-03-08
- 外延工艺制备的薄膜是单晶的 A正确 B错误 2021-03-08
- 外延主要有共度生长、非共度生长和____这三种外延过程 2021-03-08
- 如果要求非常良好的孔填充特性,应该使用下列哪种加工工艺? ACVD BPVD C蒸发 D 2021-03-08
- 若要使用金属将源漏端信号引出,应该让金属与半导体形成哪种接触?____ 2021-03-08
- 集成电路中临近器件的局部互联主要使用____和难熔金属硅化物作为互联 2021-03-08
- 光刻是一个对材料进行____的过程 2021-03-08
- 典型的图形转移工艺的主要步骤是 旋涂光刻胶- 曝光 - ____ - 刻蚀 - 去除光 2021-03-08
- 涂底胶(HMDS)主要作用是覆盖硅表面的杂质,使之后光刻胶能够旋涂的更平整 A正确 2021-03-08
- 光刻工艺的整个流程包含的八个步骤是 硅片清洗 - 预烘及涂底胶 - ____- 软 2021-03-08
- 数值孔径(NA)越大,分辨率越低,景深越小 A正确 B错误 2021-03-08
- 典型的光刻机主要有接触式光刻机 、接近式光刻机和____ 2021-03-08
- 投影式光刻机主要有扫描投影曝光和 ____两种类型 2021-03-08
- 现有一台K1为0.48,数值孔径(NA)为0.62,使用i线(波长365nm)曝光的光刻机,那么它的分 2021-03-08