学堂在线湖北大学光电材料与器件(2021秋)作业题答案
- 直接跃迁过程中,电子的准动量守恒易于满足,跃迁概率大,直接辐射复合的效率 2021-12-25
- 带间辐射复合是本征吸收的逆过程,由于能带中准连续能级的分布,发射的光谱有 2021-12-25
- 半导体材料中的发光主要是导带和价带之间的跃迁,发射的光子能量近似等于半 2021-12-25
- 由于半导体材料能带结构的不同,带间辐射复合又可以分为两种()。 A自发辐射 2021-12-25
- 半导体材料的发光过程就是电子从高能态向低能态辐射跃迁的过程,也就是电子- 2021-12-25
- 根据激励方式的不同,半导体材料的发光机制有两种()。 A光致发光 B电致发光 2021-12-25
- 如果电子和空穴复合时,把多余的能量传递给第三个载流子,使它在导带或价带内 2021-12-25
- 如果等电子杂质的电负性比晶格原子的电负性大,则可以形成电子的束缚态,这样 2021-12-25
- 半导体材料中的电子由高能态向低能态跃迁时,以光子的形式释放多余的能量,这 2021-12-25
- 沿非极性面生长的GaN量子阱结构,在外场作用下能带不会发生倾斜,不会产生量 2021-12-24
- 只有沿极性面生长的GaN量子阱结构才会有自发极化和压电极化效应。( ) 2021-12-24
- 在AlGaN/GaN突变异质结结构中,即使不对AlGaN势垒层进行任何掺杂,也可产生大 2021-12-24
- 压电极化源自不同外延层之间的应力,其方向跟晶胞结构及应力性质有关。( ) 2021-12-24
- 自发极化源自晶胞结构的非对称性,其方向只跟外延方向有关。( ) 2021-12-24
- 由于量子限域效应,激子的最低能量向高能方向移动,即发生蓝移。( ) 2021-12-24
- 当半导体材料的尺寸小于或者等于该材料的激子玻尔半径时,准连续的能级转化 2021-12-24
- 对于III-V族氮化物,包括GaN, AlN, InN, AlGaN, InGaN等,材料中存在极化效应 2021-12-24
- 量子阱和超晶格结构中主要的新现象和效应包括() A量子尺寸效应 B量子限域效 2021-12-24
- 量子限制斯塔克效应中,当在(多)量子阱上加偏压时,由于压电效应,量子阱的能 2021-12-24
- 量子限制斯塔克效应主要发生在具有()的半导体构成的量子阱结构中。 A压电效 2021-12-24
- 量子尺寸效应中,当半导体材料的尺寸减小到某一值时,随着尺寸的减小,光吸收 2021-12-24
- 多量子阱结构主要适合制作低阈值、窄谱线的发光器件超晶格结构适合制作大功 2021-12-24
- 多量子阱结构,其势垒足够厚和高,相邻势阱中的电子波函数不发生交叠,电子行 2021-12-24
- 掺杂超晶格的等效带宽可以具有从零到未调制的基体材料能隙之间的任何值,取 2021-12-24
- I型超晶格相邻势阱中的电子可以互相耦合,能级扩展成能带,形成一系列子能带 2021-12-24