学堂在线湖北大学光电材料与器件(2021秋)作业题答案
- 传统的蓝宝石衬底GaN LED芯片结构,通常采用正装结构,电极刚好位于芯片的出 2021-12-25
- LED发射光子的能量或光波的波长是由多量子阱结构中阱层材料(窄带材料)的禁 2021-12-25
- 由于蓝宝石衬底是绝缘材料,早期的GaN基LED多采用传统的平面电极结构。( ) 2021-12-25
- LED的量子效率中,单位时间内半导体内辐射复合产生的光子数与注入的载流子数 2021-12-25
- 为了消除蓝宝石衬底对器件电极分布和散热问题的影响,可以通过激光剥离的方 2021-12-25
- 电流扩展层采用电导率小的材料,而电流局限层采用电导率大的材料。( ) 2021-12-25
- 提高光取出效率,可以采用优化器件结构和几何外形、采用粗糙的出光面、透明 2021-12-25
- 提高辐射效率,一方面要改善晶体质量,减少缺陷,另一方面需要采用最佳活性层 2021-12-25
- 注射效率与载流子的注入和输运有关,所以提高注射效率的方法就是优化电极结 2021-12-25
- 对于电压效率,其影响因素主要是器件中各层材料的体电阻和结电阻,可以通过尽 2021-12-25
- 根据LED中发光的具体过程,量子效率包括注射效率、辐射效率、光取出效率,对 2021-12-25
- LED总的发光效率等于内量子效率×光取出效率×电压效率。( ) 2021-12-25
- 量子效率是发光二极管特性中一个与辐射量有关的重要参数,它反映了注入载流 2021-12-25
- 由于工作电流和电压低,LED可以做到很小尺寸,可以看作点光源,适宜用于发光显 2021-12-25
- LED的量子效率中,单位时间从器件中取出来的光子数与半导体内辐射复合产生的 2021-12-25
- LED的量子效率中,单位时间内输出二极管外的光子数目与注入的载流子数目之比 2021-12-25
- GaN蓝光二极管是采用InGaN/GaN多量子阱层作为活性层。( ) 2021-12-25
- 在蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜,一般首先生长成核层和缓冲层,以改善GaN外延 2021-12-25
- 目前红光LED的材料主要是AlGaInP系列,蓝光绿光及紫外光LED的主要材料是AlGa 2021-12-25
- 在GaN基LED顶部电极之下插入()以改善电流分布,提高注入效率。 A电子阻挡层 2021-12-25
- 为了改善LED的注射效率和辐射效率,通常采用在多量子阱区的p侧插入一层(),选 2021-12-25
- MOCVD系统主要可用于产业化生产,因为其生长速率快,可设计生长室同时生长多 2021-12-25
- MOCVD是一种非平衡状态下的反应生长技术。( ) 2021-12-25
- 光学反射生长进程监控仪,则是用来提供III-V族氮化物薄膜生长过程中的温度、 2021-12-25
- MBE系统中高能电子衍射仪用来实时监测外延材料的表面信息。( ) 2021-12-25